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7纳米语音芯片恐怖来袭 三星量产EUV制霸
发布时间:2018-11-07 10:23     访问量:
继亚洲最大语音芯片厂商(代工厂)台积电试放微影技术(EUV)的首款7纳米芯片后,另一通信龙头"三星"宣布量产多款7纳米EUV芯片,为在这场生态系统较量中取得胜利,还大力支持IP和EDA基础设施。
在本周于美国硅谷举行的Samsung Tech Day上,三星宣布采用EUV的7奈米LPP (Low Power Plus)制程研发完成,正式进入商用化量产,未来也将在此技术基础上朝5nm、3nm前进。此外,三星并宣布出样基于其16-Gbit DRAM芯片的256-GByte RDIMM,并计划采用内建赛灵思(Xilinx) FPGA的固态硬盘(SSD)。
不过,7nm商用化量产还是此次活动的亮点,再加上该公司内部开发的EUV光罩检测系统,正象征着三星的一个发展里程碑。
相较于其10nm节点,三星的7LPP制程能缩小多达40%的芯片面积,速度提高20%,并降低50%的功耗。此外,三星表示目前拥有50家语音芯片厂商(代工厂)合作伙伴,包括Ansys、Arm、Cadence (拥有7nm数位和类比设计流程)、Mentor、Synopsys和VeriSilicon,均表示采用7nm制程投片。
据称7LPP制程吸引了多方的兴趣,包括网路巨擘、网路公司和高通(Qualcomm)等手机供应商等客户。然而,三星预计最早要到明年年初之后,才可能会有客户发布相关消息
三星代工行销总监Bob Stear表示,自今年初华城S3厂引进EUV设备以来,EUV系统一直维持在支持250W光源。目前的功率级可将产量提高到生产1,500片晶圆/天。他说,从那以后,EUV系统逐渐可达到280W峰值,而三星的目标是进一步提高功率到300W
Stear指出,相较于传统氟化氩(ArF)系统需要五层光罩,EUV所需的层数较少,因此降低了成本而使得良率提升。不过,该技术节点在前段制程(FEOL)仍然需要进行多重曝光。
三星开发了自家的系统,用于比较并调整预期和实际的光罩图案,以加速其EUV投产。由于目前尚不清楚它是否与典型的第三方检测系统一样自动化,VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson认为它更像是一套光罩检查系统。
三星预计其7nm节点将在今年年底前通过Grade 1 AEC-Q100汽车标准。在封装方面,三星正在开发一种重分布层(RDL)中介层,可在单个组件上安装多达8个高频宽记忆体(HBM)堆叠。该公司并致力于在基板中嵌入被动组件,以节省资料中心芯片的空间。

EUV光罩护膜可能延迟5nm?

市场研究机构International Business Strategies (IBS)执行长Handel Jones说,三星和台积电在7nm阶段都可能只将EUV用于两个芯片层,因为光罩护薄还在开发中,因此至今还未能使用。到了5nm时,他们很可能将EUV扩展至6层,但这至少要到2021年后了,届时的光罩护膜将有足够的耐用性和光传输能力。
Jones说:「三星大约提前了六个月采用EUV制程,因为他们一直在DRAM和逻辑制程中使用这一系统,但台积电在使用IP和工具方面处于领先地位,而且也有更多的客户合作关系,如超威(AMD)、苹果(Apple)、海思(HiSilicon)和辉达(Nvidia)等。」
另一专业人士表示,思科(Cisco)原本是IBM代工业务的客户,目前正与台积电合作开发7nm产品。而高通的7nm设计预计将分别交由台积电和三星代工。
尽管如此,Jones预测这家韩国巨擘的营收可望在今年达到900亿美元,甚至到2027年可能超过1,500亿美元。从三星记忆体业务的成长力道来看,Jones估计其DRAM和NAND销售将分别达到50%的和45%的占有率。
三星可望顺利在明年6月之前开始量产5nm和4nm节点,在相同的技术基础上实现突破性的进展。Stear说,这一制程节点的PDK预计在今年年底前发布,并将在S3厂旁为EUV打造另一条产线。
这三种制程节点将使触点更接近并最终移动到闸极上方,以增加密度并减少金属间距。这是英特尔(Intel)先前针对其10nm节点所讨论的一种方法,但尚未量产。
Stear说:「我们正逐步处理闸极上触点(contact-over-gate)。正如有些人发现的,这是一个难以解决的问题。」
三星于今年5月宣布计划转向闸极全环(gate-all-around;GAA)电晶体,或称为奈米片,用于3nm节点。其目标在于将标称电压降至新低点,以持续降低功率。预计在今年六月就能提供用于3nm节点的第一版0.1 PDK。
 

记忆储存芯片发展蓝图

在其核心记忆体业务方面,三星表示开始出样采用其16-Gbit语音储存芯片制造的256GB RDIMM。这些储存卡能以高达3,200MHz的DDR4速度运行,支持50ns读写,应该可以在今年年底前投产。
这些记忆体芯片采用一年前发布的1y纳米制程制造。但未来1y制程是否导入EUV,目前尚不清楚。然而,三星DRAM开发主管Seong Jin Jang指出,后续的1z和1a制程节点将越来越广泛地使用EUV。
三星并展示在AMD EPYC服务器上运行的八个DIMM。相较于其现有的128GB卡在225W时提供380万次运算/秒,这些DIMM则能在170W时达到每秒320万次运算。
最终,三星的目标是将DIMM提高到768GBytes,最终在于使HBM资料速率从目前的307GB/s提高到512GB/s。他并补充说,GDDR6绘图记忆体将从目前的18Gbits/s提高到22Gbits/s,而LPDDR记忆体功耗则将从24mW/GB降至12mW/GB,但他并透露何时实现。
此外,三星宣布计划采用嵌入式Xilinx Zynq FPGA的智能SSD,将性能提升2.8倍至3.3倍。这些装置适用于各种资料库、AI、视讯和语音ic等应用。
过去几年里,三星为了赶上台积电,狂撒钱买半导体设备,预估今明两年韩国的半导体设备投资将超越台湾,成为全球新老大。在目前看来,一切的发展都在三星的规划里,未来的中国7纳米芯片的研发将会面临台积电或三星的5纳米?4纳米?抑或是3纳米的级别的产品?








 
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